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　　專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┮环N低包裹物密度SiC晶體的生長裝置及生長方法，屬于晶體生長技術(shù)領(lǐng)域。該生長裝置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩堝、感應(yīng)線圈、保溫組件和耐腐蝕過濾組件;SiC粉料置于石墨坩堝底部;耐腐蝕過濾組件置于石墨坩堝內(nèi)，并置于SiC粉料上方;耐腐蝕過濾組件為平頂金字塔結(jié)構(gòu)，包括多層微孔TiC環(huán)和設(shè)置于頂層的微孔TiC板;其中，下層微孔TiC環(huán)內(nèi)徑和外徑大于上層，且下層微孔TiC環(huán)內(nèi)徑小于或等于上層外徑;微孔TiC環(huán)和微孔TiC板經(jīng)碳化工藝碳化處理獲得。本申請平頂金字塔狀的耐腐蝕過濾組件能夠?qū)崿F(xiàn)料區(qū)向上輸運氣態(tài)組分中C顆粒的完全過濾，同時，實現(xiàn)調(diào)控氣態(tài)SiC組分的輸運方向，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣。