天岳先進(jìn)取得用于生長(zhǎng)高均一性外延片的石墨盤(pán)及用于外延生長(zhǎng)的裝置專(zhuān)利
作者：1180發(fā)布時(shí)間：2024-08-07
山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種用于生長(zhǎng)高均一性外延片的石墨盤(pán)及用于外延生長(zhǎng)的裝置“，授權(quán)公告號(hào) CN221440934U，申請(qǐng)日期為 2023 年 12 月。
專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于生長(zhǎng)高均一性外延片的石墨盤(pán)及用于外延生長(zhǎng)的裝置，屬于外延片生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。該石墨盤(pán)包括：石墨盤(pán)本體，所述石墨盤(pán)本體的上表面向下凹陷形成凹槽，所述凹槽邊緣至凹槽中心設(shè)置有 3?6 個(gè)臺(tái)階，所述臺(tái)階的高度小于所述凹槽的高度，且所述臺(tái)階的高度自凹槽邊緣向凹槽中心逐級(jí)遞減，所述臺(tái)階為石墨材質(zhì)。該石墨盤(pán)專(zhuān)門(mén)針對(duì)中心溫度高而邊緣溫度低的溫場(chǎng)進(jìn)行設(shè)計(jì)，通過(guò)在凹槽內(nèi)設(shè)置 3?6 個(gè)臺(tái)階，能夠降低外延中心與邊緣的溫度差，使得外延片的厚度和摻雜可控，得到高均一性的外延片。
