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美國防部提供1350萬美元資助碳化硅研發(fā)

作者:1180發(fā)布時間:2016-04-01

  美空軍研究實驗室資助通過合作協(xié)議開發(fā)大型碳化硅襯底。

  美國防部下屬的空軍研究實驗室正在尋求授予合作協(xié)議,開發(fā)大型碳化硅襯底和外延工藝,以推動技術(shù)在可承受性和質(zhì)量方面的發(fā)展。

  預(yù)計總的項目資助金額為1350萬美元。

  射頻氮化鎵器件正在快速成為高功率射頻應(yīng)用的首選技術(shù)。但其依賴于高質(zhì)量、半絕緣碳化硅襯底的使用。高電壓和電流處理相結(jié)合,以及開關(guān)頻率能力使基于碳化硅的功率器件成為可選的硅替代技術(shù)。

  此次資助項目申請截止日期為4月18日。


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