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中國最大碳化硅廠重視基礎(chǔ)研究

作者:27發(fā)布時間:2014-06-09
        有媒體報道了北京天科合達藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司重視基礎(chǔ)研究 。

        很多人不理解,說搞產(chǎn)業(yè)化,有必要如此重視基礎(chǔ)研究嗎?而在我看來,產(chǎn)業(yè)化階段的技術(shù)水平,恰恰是基礎(chǔ)研究階段積累的體現(xiàn)。

  作為新興的戰(zhàn)略先導(dǎo)產(chǎn)業(yè),碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料,也是發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

  法國咨詢機構(gòu)Yole公司的報告顯示,2012年到2015年,全球碳化硅市場年均增長率將不低于30%,2015年后全球市場將會出現(xiàn)爆發(fā)式增長。

  北京天科合達藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司作為國內(nèi)首家同時也是規(guī)模最大的碳化硅單晶產(chǎn)品的制造及供應(yīng)商,擁有近300家客戶。記者日前在采訪中發(fā)現(xiàn),2006年公司成立以來,面對碳化硅制備過程中的諸多技術(shù)難題以及國外的技術(shù)封鎖,天科合達不僅通過自身努力縮小了與國外的技術(shù)差距,還走出了一條值得借鑒的自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化之路。

  應(yīng)用前景廣闊

  在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,一般將硅、鍺等材料稱為第一代半導(dǎo)體材料,將砷化鎵、磷化銦等材料稱為第二代半導(dǎo)體材料,而以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料則被稱為第三代半導(dǎo)體材料。

  如今,碳化硅已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點,擁有廣闊的應(yīng)用前景。

  首先是高亮度發(fā)光二極管(LED)。中科院物理所研究員、天科合達技術(shù)發(fā)明人陳小龍告訴記者,由于碳化硅的熱導(dǎo)率高、晶格匹配性好,因此適用于制備大功率、高亮度的LED。

  據(jù)陳小龍介紹,目前市場上藍(lán)寶石基的LED發(fā)光效率可以達到120流明/瓦,而使用碳化硅的LED則能得到200流明/瓦,正處于實驗室研發(fā)階段的碳化硅基產(chǎn)品則已經(jīng)達到300流明/瓦。這種大功率、高亮度的LED,在汽車前大燈、道路照明等領(lǐng)域均有重要的應(yīng)用價值。

  這一點從碳化硅行業(yè)的龍頭企業(yè)——美國科銳(Cree)公司的收入上可見一斑。2013年,科銳公司LED產(chǎn)品的營收為8億美元,產(chǎn)品毛利為3.45億美元,毛利潤達43%。

  除了高亮度LED,碳化硅還是制造電力電子器件的理想材料。陳小龍告訴記者,碳化硅具有耐高電壓、耐高溫和節(jié)能等特點。同時,使用碳化硅的電力電子器件,體積可以做得非常小。因此,在新能源汽車、太陽能發(fā)電、機車牽引以及大功率輸配電等領(lǐng)域,都將發(fā)揮重要作用。

  據(jù)陳小龍介紹,碳化硅還是射頻微波器件的理想襯底材料,可以提高雷達、通信、電子對抗以及智能武器等的整體性能和可靠性。此外,碳化硅還可以用于制作人工寶石,而通過碳化硅外延生長制備石墨烯的技術(shù)也吸引了不少研究者的注意。

  據(jù)預(yù)測,到2019年,全球碳化硅單晶爐數(shù)量將超過3000臺,碳化硅襯底產(chǎn)量將超過200萬片,市場規(guī)模將達到20億美元,外延材料市場規(guī)模約10億美元。同時,碳化硅的發(fā)展還將帶動上游單晶設(shè)備、外延設(shè)備產(chǎn)業(yè)和下游的器件以及模塊等相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,規(guī)模將達數(shù)百億美元。

  與國外差距日益縮小

  和很多高新技術(shù)類似,我國碳化硅晶體的發(fā)展,也同樣是一個追趕國際先進水平的過程。

  據(jù)了解,早在1991年,科銳公司就推出了碳化硅晶片產(chǎn)品,而我國的碳化硅晶體研究則從上世紀(jì)90年代末才剛剛起步。不過,在國內(nèi)研究人員的努力之下,我國與國外的技術(shù)差距正在被逐漸縮小。

  2011年,科銳公司發(fā)布了6英寸碳化硅晶體,并開始小批量銷售。而國內(nèi)天科合達的4英寸碳化硅晶體2011年已經(jīng)準(zhǔn)備進入量產(chǎn)階段,并從2013年開始進行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作。

  陳小龍告訴記者,我國與國外的技術(shù)差距正在縮短。

  一路行來,陳小龍和他的團隊經(jīng)歷了一系列的艱難險阻。

  陳小龍?zhí)寡裕?999年剛開始搞碳化硅晶體研究的時候,由于國外對技術(shù)嚴(yán)格保密,陳小龍和他的團隊只能從基本原理做起,很多基礎(chǔ)的實驗和基本規(guī)律,都是自己一點一點摸索出來的。

  到了2006年,在經(jīng)過7年的辛苦打拼后,陳小龍團隊終于看到了產(chǎn)業(yè)化的曙光。不過,在產(chǎn)業(yè)化進程中,同樣遭遇了諸多挑戰(zhàn)。

  陳小龍告訴記者,碳化硅從2英寸、4英寸到6英寸的發(fā)展過程中,擴晶技術(shù)非常關(guān)鍵。而且,晶體的尺寸變大以后,溫場發(fā)生很大的變化,因此帶來一系列的問題,如相變等,需要投入大量的人力、物力去克服。碳化硅特有的微管等缺陷,對于材料和器件性能具有致命影響,其形成機制需要細(xì)致、深入的研究。

  其次,加工的碳化硅晶片厚度只有約0.4毫米,因此,在晶片直徑增加以后,還需要克服晶片變形的問題。

  此外,碳化硅晶片要求表面非常平整,粗糙度在0.3納米以下。這些都對碳化硅的制備形成了挑戰(zhàn)。

  如今,經(jīng)過不懈努力,天科合達已經(jīng)建成了碳化硅生長的生產(chǎn)線以及加工、檢測、清洗、封裝的生產(chǎn)線。在碳化硅研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化過程中,天科合達還申請了近30項發(fā)明專利,包括3個PCT國際專利,其中已經(jīng)授權(quán)發(fā)明專利接近20項。

  產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗

  據(jù)陳小龍介紹,目前天科合達正計劃引入新的投資,在北京建立晶體生產(chǎn)基地,并盡快實現(xiàn)6英寸碳化硅晶體的規(guī)?;a(chǎn)。

  對于天科合達這些年走過的自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化的道路,陳小龍頗有一番感慨。

  “首先感謝國家的支持。”陳小龍說,“我們最初的基礎(chǔ)研究得到了國家自然科學(xué)基金委的支持,產(chǎn)業(yè)化過程中又得到了科技部、國家發(fā)展改革委、中科院、北京市和新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團等的支持??梢哉f,沒有國家的支持,我們不會有今天的成績。”

  如今,天科合達已經(jīng)是國內(nèi)最大的碳化硅單晶產(chǎn)品的制造商及供應(yīng)商,擁有近300家客戶,并帶動了國內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,我國已初步形成了晶體、外延和器件的產(chǎn)業(yè)鏈。在陳小龍看來,天科合達能夠取得這樣的發(fā)展,還得益于對基礎(chǔ)研究的充分重視。

  “很多人不理解,說搞產(chǎn)業(yè)化,有必要如此重視基礎(chǔ)研究嗎?而在我看來,產(chǎn)業(yè)化階段的技術(shù)水平,恰恰是基礎(chǔ)研究階段積累的體現(xiàn)。”陳小龍說。

  此外,在陳小龍看來,產(chǎn)學(xué)研的實質(zhì)性合作,也是推動碳化硅產(chǎn)業(yè)化的重要因素。

  陳小龍告訴記者,這種產(chǎn)學(xué)研的實質(zhì)性合作主要得益于兩個方面。一個是高的反饋效率。“實驗室的基礎(chǔ)研究取得進展后,馬上把得到的新認(rèn)識、新規(guī)律應(yīng)用到中試生產(chǎn)線,得到反饋后,又立即反饋到實驗室這邊。這種產(chǎn)學(xué)研的密切結(jié)合,有助于加快產(chǎn)業(yè)化的進程。”陳小龍說。

  體制和機制的突破同樣重要。“研究所和投資方按照股份制的方式成立了獨立的公司。研究所和股東大力支持,物理所與天科合達聯(lián)合設(shè)立了研發(fā)中心,并共同承擔(dān)科研項目,這使得產(chǎn)學(xué)研的結(jié)合更為緊密。”陳小龍說。

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